Lackmaske

Lackiermaske

Viele Beispiele für übersetzte Sätze mit "Lackmaske" - Englisch-Deutsches Wörterbuch und Suchmaschine für englische Übersetzungen. Lackiermaske Die Struktur ierung hoher anisotroper Prozesse ist erwünscht. Hoher Erweichungspunkt sowie senkrechte Mangelflanken. sowie steile Seitenwände. lektrolytisch.

e Elektrolyt. Die Selektivität bezeichnet das Verhältnis der Ätzraten von zwei Werkstoffen, . zwei Filmen, z.B. der zu gestaltenden Schicht (j; . . Die Strukturierung sollte so hoch wie möglich sein, d.h. die zu strukturierende Schicht wird wesentlich schneller geätzt als eine Maskierungsschicht. Die Ionen strukturierung der Prozesse wird über Hubprozessoren (Steag Hamatech und SSEC) durchgeführt.

Après les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les leses les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les les. Für das tiefe Trockenätzen werden auch Resistschichten mit einer bestimmten Dicke benötigt, die auf Wunsch speziell in der Mikrooptik als unverzichtbarer Verfahrensschritt zum Einsatz kommen: Beim Reflow werden sphärisch oder zylinderförmig gerundete Strukturen durch Trockenätzen in das Trägermaterial übertragen, wobei z.B. Microlinsen realisiert werden können.

Beispielsweise sind thermische Erweichung und Verrundung (Reflow) oder Photoresiststrukturen bei der Metallisierung nicht erwünscht, aber Reflow ist ein wichtiger und notwendiger Schritt im Bereich der Mikrooptik.

Lacquer Mask - Englische Übersetzungen - Deutsche Anwendungsbeispiele

Herstellungsverfahren eines Halbleiterfestwertspeichers nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichent, dass der Maskenprozess mit einer Lackmaske durchlaufen wird. Die Fertigung eines Halbleiter-Lesespeichers nach Wahl 7 oder 8, dadurch entsteht, daß das Maskenbild ungsverfahren mit einer Ersatzmaske wiederhergestellt wird. Patentansprüche 1 bis 7, wobei der Definitionsschritt das Auftragen einer SiO2- oder Lackmaske mit Seitenwand-Schutz durch Polymerablagerung umfasst.

Im Rahmen eines Verfahrens nach einem der Revisionen 1 bis 7, wobei der definierende Abschnitt das Aufbringen einer SiO-2-Maske oder einer Resistmaske mit Polymerabscheidungsseitenwandschutz umfasst. dass vor dem Arbeitsschritt c) eine Schutzmaske, vor allem eine Lackmaske, auf die zu ätzende Lage aufgedrückt wird.

Procédése ur nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch entsteht, dass vor Schritt c) eine Maske, insbesondere eine Resistmaske, auf die Schicht aufgebracht wird, die nur die Bereiche der zu ätzenden Schicht offen lässt. dass die Pulsgröße der HF-Leistungsimpulse eine maximal gleichwertige Vorspannungsleistung von etwa 1000 W umfasst, um eine Abnutzung der Lackmaske oder eine Unterätzung der metallischen Schicht zu unterdrücken.

Procédése ur nach 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Impulsamplitude der HF-Leistungsimpulse einen maximalen äquivalenten Polarisationsleistungspegel von etwa 1000 Watt aufweist, um die Erosion der Resistmaske oder das Unterschneiden der Metallschicht zu verhindern. Methode nach Anspruch 10, bei der im zweiten Verfahrensschritt zunächst eine Lackmaske aufgetragen wird und unter Anwendung dieser Lackmaske wenigstens ein Isoliergraben erzeugt wird, dann diese Lackmaske abgenommen wird und die erste Lackmaske (25) aufgetragen wird.

Procédération nach Anspruch 10, bei dem im zweiten Schritt zunächst eine Resistmaske aufgebracht wird und unter Verwendung dieser Resistmaske mindestens ein Isoliergraben hergestellt wird, dann diese Resistmaske entfernt und die erste Resistmaske (25) aufgebracht wird. Bei der dritten Ebene (4) handelt es sich z.B. um eine Farbmaske zur Gliederung der zweiten Ebene (3).

Die Liegefläche (4) ist z.B. eine Lackmaske zur Strukturierung der zweiten Lage (3). Bei einer streifenförmigen Strukturlackmaske wird die ARC-Schicht in eine Schablone eingeätzt, die zum Einätzen der Wortlinien mit sich in die Tiefen verjüngender Öffnung bestimmt ist. Eine Maskenstruktur lackierung wird verwendet, um die Antireflexschicht zu ätzen, um eine Maskenstruktur zum Gravieren von Wortzeilen zu bilden, wobei die Masken für die Ätzung der Motive ausreichen.

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